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高功率1470nm半导体激光器设计与制作-英超下注平台

本文摘要:1 .章节半导体激光器使用III-V化合物作为其有源介质,一般经由电流,将活性区域中通过电子和空穴填充而流动的电能转换为光子能。

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1 .章节半导体激光器使用III-V化合物作为其有源介质,一般经由电流,将活性区域中通过电子和空穴填充而流动的电能转换为光子能。与固体激光器和气体激光器相比,半导体激光器的能量开关效率较高,例如典型的808nm高功率激光器的最低电光开关效率高达65%以上[1],而CO2气体激光器的能量开关效率不高射出功率高达10W的半导体激光芯片的尺寸约为0.3mm3,固体激光很可能占有实验室的整个桌子。3 )可靠性低,平均寿命估计约有几十万小时宽[2]; 4 )便宜。

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半导体激光器也有集成电路工业中摩尔定律,即性能指标随时指数下降的趋势,价格随时指数上升。由于半导体激光器的上述优点,越来越普遍地应用于国家民生的各个方面,包括工业应用、信息技术、激光表明、激光医疗、科学研究和国防应用等。

高功率激光芯片有几个最重要的技术指标,包括能量开关效率和设备运用的可靠性等。器件的能量开关效率主要是各不相同的芯片外延结构和器件结构设计,运行可靠性主要与芯片的腔面处理工艺有关。本文首先详细说明深圳瑞波光电子有限公司高功率激光器的设计思想及腔面处理方法,然后展示深圳清华大学研究院和深圳瑞波光电子有限公司在开发1470nm高功率单管激光芯片方面取得的主要进展。2.1470nm高功率激光外延结构和器件结构设计图1 .半导体激光外延结构的示意图图2。

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